ロバート・ノイス
【英】Robert Noyce
ロバート・ノイスとは、米国の半導体技術者である。1927年12月12日、アイオワ州バーリントン生まれ。半導体集積回路（IC）の発明者の一人として、また同じくIntelの共同創業者として知られている。1990年6月3日没。
マサチューセッツ工科大学を卒業したノイスは、トランジスタの発明者として知られるウィリアム・ショックレー博士の直接の誘いを受けて、1956年からショックレー研究所に勤めた。しかし間もなくショックレーとの方針の違いが顕著になると、ゴードン・ムーアらと共に同研究所を去り、1957年、新たにFairchild Semiconductor社を創立した。
Fairchild社でノイスは半導体メモリの研究開発と普及に努めたが、ほどなくして出資親会社と意見が衝突するようになった。ノイスはムーアと共にFairchildを去り、新しくIntelを創設した。
※画像提供 / Intel Corporation
Intelでノイスは引き続き半導体メモリを中心に集積回路の研究開発を続けた。やがてトランジスタの表面を酸化シリコンの皮膜で覆うプレーナー法を開発し、特許を取得した。マイクロプロセッサの研究開発も進められ、1970年にはIntelが世界初のDRAMを販売するなど、世界一の半導体企業の名声を揺るぎないものにしていった。
ノイスは1970年まで社長・会長職に就き、「シリコンバレーの主」と称された。彼自身の手による半導体技術関連の特許も、16を数える。
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