フラッシュメモリ
別名：Flashメモリ，フラッシュメモリー
【英】Flash Memory
フラッシュメモリとは、電気的にデータを書き換えることが可能で、電力を供給しなくてもデータを保持することができる（不揮発性の）半導体メモリである。コンピュータの外部記憶装置などに用いられている。
不揮発性の半導体メモリとしてはEEPROMが先立って開発されており、フラッシュメモリはこのEEPROMの改良によって登場した記憶媒体である。両者の主な違いは、EEPROMはデータをバイト単位で書き換えるが、フラッシュメモリは数十キロバイト程度のデータを「ブロック」の単位でまとめて扱う、という点である。フラッシュメモリのデータを書き換える場合、当該データだけでなく、当該データを含むブロックを消去する必要がある。他面、フラッシュメモリはデータの消去に必要な装置をブロックごとに共有できるため、単位容量あたりの回路構成を簡素化することができる。このため、製造コストの低下と、面積あたりの記憶容量の大容量化が実現される。
フラッシュメモリは回路構造によって「NAND型フラッシュメモリ」と「NOR型フラッシュメモリ」に区分される。NAND型フラッシュメモリは書き込みが高速で、大容量化しやすいという特徴がある。NOR型フラッシュメモリには、読み込みが高速であり、信頼性が高いという特徴がある。SSDやUSBメモリのように価格とデータの書き込みに重点が置かれる記憶媒体にはNAND型フラッシュメモリが多く用いられ、電子機器の制御プログラム（ファームウェア）のように書き込みよりも読み出しに重点が置かれる記憶媒体にはNOR型フラッシュメモリが多く用いられている。
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